智通财经APP获悉，近日中信证券发表存储行业研报，提到自2月以来，随铠侠业绩及指引超预期、NAND一季度合约价上调、以及国内模组厂商佰维存储发布1-2月业绩公告超预期，进一步验证了存储行业景气度维持高位。该行继续看好存储需求超预期，预计行业供不应求将持续至27H1，核心推荐短期业绩爆发性强的存储模组公司、存储原厂及贴近原厂的设计公司。
一、2026年2月价格回顾(Bloomberg，CFM闪存市场，TrendForce)
1)DRAM：在经历1月环比大涨后，2月DRAM现货和合约价格涨幅放缓。根据Bloomberg，2月主流颗粒现货价环比-3%~+12%;DDR5-8Gb /DDR4-8Gb合约价环比+4%/+8%。
2)NAND Flash：2月继续保持环比快速上涨，涨幅相对收敛。根据Bloomberg，2月主流颗粒现货价环比+10%~+26%，合约价环比+37% ~+67%。
3)模组：2月DDR4/5内存条现货价格环比基本走平，SSD环比0~+13%，移动存储环比+10%~+25%;2月DDR5内存条合约价格环比+4%~+18%，DDR4价格走平;SSD环比+6%~+18%。(注：由于当前现货市场价格波动较大，合约议价周期缩短，因此不同资料来源的存储价格存在差异)
二、价格展望(TrendForce Mar. 2026)
1)DRAM：预计Q1传统DRAM合约价上涨90%~95%(未调整);2月底，据韩媒sedaily，三星电子和SK海力士已向客户发出通知，25Q2将继续大幅提高DRAM价格;据台媒“PCDIY!”报道，SK海力士于春节后向客户发出涨价通知，DDR5颗粒26Q2将涨价40%。
2)NAND Flash：由于AI服务器需求保持强劲，供需严重失衡，原厂涨价意愿强烈，上调Q1整体合约价涨幅至85%~90%(此前预期55% ~60%)。
3)利基存储：NOR Flash方面，台系厂商陆续减少中小容量NOR Flash产能，这将导致NOR产能收敛、供需改善，我们预计NOR Flash 26H1将保持上涨，Q1涨幅整体超过20%，中小容量NOR涨幅更大。SLC NAND Flash方面，海外原厂如美光、铠侠、三星陆续减少供应，我们预计在供给收缩下26H1价格上涨幅度有望接近主流TLC/QLC产品。
三、海外原厂对需求端判断
SK海力士：公司预计2026年DRAM bit需求同比增速20%以上，NAND bit需求同比增速15%~20%(high-teens);DRAM及NAND库存仅剩约4周，2026年所有客户的需求都无法得到完全满足;
闪迪：公司预计2026年数据中心bit需求增长将超过60%;
铠侠：公司预计NAND市场中长期bit需求将以约20% CAGR增长;HyperScaler LTA已经谈至2027-28年;公司指引FY4Q25(CY1Q26)营收环比成长55%~72%，超市场预期。
四、国内存储厂商业绩预期
佰维存储：公司预计1-2月营收40-45亿元，同比+340%-395%;预计1-2月归母净利润15-18亿元，同比+922%-1086%，归母扣非净利润13.5-16.0亿元，剔除股份支付后归母净利润15.3-18.3亿元，超市场预期。
风险因素：
海外CSP厂商AI CAPEX不及预期;消费电子下游需求走弱;存储价格提升不及预期;行业竞争加剧;技术革新风险;国际贸易摩擦风险等。
投资策略：
继续看好存储需求超预期，预计行业供不应求将持续至27H1，核心推荐：1)存储模组公司：短期业绩爆发能力强;2)存储设计公司：持续推荐存储原厂及贴近原厂的设计公司。